1. 為什么要在工業(yè)嵌入式場(chǎng)景里認(rèn)真聊聊 MR25H40CDF 這顆 MRAM工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)有個(gè)很尷尬的夾縫地帶需要頻繁寫、掉電不能丟、還要扛得住高低溫循環(huán)和振動(dòng)但數(shù)據(jù)量又沒大到值得上文件系統(tǒng)加 eMMC 的程度。傳統(tǒng)方案里EEPROM 擦寫壽命撐不住高頻寫NOR Flash 有擦除塊限制、寫入前得先擦、掉電窗口還容易丟數(shù)據(jù)FRAM 容量小價(jià)格高。MR25H40CDF 這顆 4Mbit 的 SPI MRAM 恰好卡在這個(gè)位置上它沒有擦除概念、字節(jié)級(jí)寫入、寫入幾乎無延遲、擦寫次數(shù)以百億次計(jì)配合 STM32F745VG 這種帶 Quad-SPI 和充足 RAM 的 Cortex-M7 主控能搭出一套非常省心的工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)鏈路。這篇內(nèi)容我打算按實(shí)際項(xiàng)目落地的順序來講先拆清楚為什么選 MRAM 而不是 Flash 或 EEPROM再把 MR25H40CDF 的 SPI 時(shí)序、狀態(tài)寄存器、寫保護(hù)機(jī)制講透然后給出 STM32F745VG 上用 HAL 庫驅(qū)動(dòng)它的完整實(shí)操過程包括 CubeMX 配置、讀寫函數(shù)、掉電保護(hù)策略最后把我在現(xiàn)場(chǎng)踩過的坑整理成排查表。適合正在做工業(yè)采集、PLC 擴(kuò)展模塊、電力監(jiān)測(cè)終端、嵌入式數(shù)據(jù)記錄儀的硬件和固件工程師參考也適合剛接觸 SPI 外設(shè)、想找一個(gè)比 W25Q64 更有意思的存儲(chǔ)器件來練手的嵌入式學(xué)習(xí)者。MR25H40CDF 是 Everspin 的 4Mbit SPI 非易失 MRAM512K 字節(jié)容量工作電壓 2.7V 到 3.6VSPI 模式 0 和模式 3 都支持最高時(shí)鐘 40MHz。它和普通 SPI Flash 最大的區(qū)別在于寫操作不需要擦除、不需要等待寫完成輪詢、沒有扇區(qū)概念你發(fā)完寫命令和地址數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)就進(jìn)去了。這個(gè)特性直接改變了固件里數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的設(shè)計(jì)思路后面會(huì)展開講。2. 存儲(chǔ)方案選型MRAM、NOR Flash、EEPROM 到底怎么選2.1 三種非易失存儲(chǔ)的物理機(jī)制差異要理解選型得先明白三者寫入原理的根本不同。NOR Flash 靠浮柵晶體管存儲(chǔ)電荷寫 1 是把電荷注入浮柵寫 0 是把電荷抽走但抽走電荷這個(gè)動(dòng)作只能按塊進(jìn)行所以有了擦除塊的概念典型擦除塊 4KB擦一次要幾十毫秒。EEPROM 同樣是浮柵結(jié)構(gòu)但每個(gè)字節(jié)有獨(dú)立的擦除晶體管所以能字節(jié)級(jí)擦寫代價(jià)是單元面積大、容量做不大、寫入速度慢典型字節(jié)寫入時(shí)間 5ms 量級(jí)。MRAM 走的是完全不同的路線它用磁性隧道結(jié)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)兩個(gè)鐵磁層之間夾一層極薄絕緣層通過改變自由層的磁化方向來改變隧道結(jié)電阻高阻代表 1低阻代表 0。磁化方向翻轉(zhuǎn)靠的是自旋極化電流不需要電荷注入和抽走所以寫入是純電流操作沒有擦除前置動(dòng)作寫入時(shí)間在納秒到幾十納秒級(jí)別。這個(gè)物理機(jī)制決定了 MRAM 的三個(gè)核心優(yōu)勢(shì)字節(jié)級(jí)寫入、寫入無延遲、擦寫壽命極高。2.2 關(guān)鍵參數(shù)橫向?qū)Ρ认旅孢@張表是我在選型階段實(shí)際整理過的參數(shù)取自各器件手冊(cè)的典型值方便你直接對(duì)照。參數(shù)項(xiàng)MR25H40CDF (MRAM)典型 NOR Flash (W25Q64)典型 EEPROM (AT24C512)容量512KB8MB64KB接口SPI 最高 40MHzSPI 最高 104MHzI2C 400kHz/1MHz寫入粒度字節(jié)頁 256B擦除 4KB字節(jié)寫入前擦除不需要必須不需要字節(jié)寫入時(shí)間約 30ns頁編程約 0.7ms約 5ms擦寫壽命10^14 次量級(jí)約 10^5 次約 10^6 次數(shù)據(jù)保持20 年以上20 年100 年掉電寫入風(fēng)險(xiǎn)極低高擦除窗口中單價(jià)同容量折算高低中從表里能看出MR25H40CDF 的定位非常明確容量不大但寫入性能、壽命、掉電安全性全面碾壓。如果你的場(chǎng)景是每秒寫幾十次、每次寫幾十字節(jié)的工業(yè)參數(shù)記錄Flash 的 10 萬次壽命可能幾個(gè)月就寫穿了而 MRAM 基本可以認(rèn)為寫不壞。2.3 什么場(chǎng)景該選 MRAM我總結(jié)了幾條判斷標(biāo)準(zhǔn)符合兩條以上就值得考慮 MR25H40CDF。第一寫入頻率高比如每秒采集一次并落盤一天就是 8 萬多次寫。第二掉電瞬間必須保住最后一條數(shù)據(jù)比如電力故障錄波、計(jì)量?jī)鼋Y(jié)數(shù)據(jù)。第三工作溫度范圍寬-40 到 85 度甚至更高M(jìn)RAM 的磁存儲(chǔ)對(duì)溫度不敏感比浮柵器件穩(wěn)。第四數(shù)據(jù)量在幾百 KB 以內(nèi)不需要文件系統(tǒng)。第五系統(tǒng)對(duì)寫入延遲敏感不能容忍 Flash 那種毫秒級(jí)擦除阻塞。反過來如果你要存固件、存圖片、存日志文件容量需求上兆那還是老老實(shí)實(shí)用 NOR Flash 或 eMMCMRAM 的每比特成本扛不住。3. MR25H40CDF 的 SPI 時(shí)序與寄存器細(xì)節(jié)拆解3.1 SPI 模式與時(shí)鐘極性的選擇MR25H40CDF 支持 SPI 模式 0CPOL0, CPHA0和模式 3CPOL1, CPHA1。這兩種模式的共同點(diǎn)是數(shù)據(jù)在時(shí)鐘上升沿采樣區(qū)別只在空閑時(shí)鐘電平。選哪個(gè)取決于你的主控和 PCB 布線習(xí)慣。STM32F745VG 的 SPI 外設(shè)兩種都支持我一般選模式 0因?yàn)榭臻e低電平在示波器上看起來更直觀調(diào)試時(shí)容易判斷片選和時(shí)鐘的配合關(guān)系。時(shí)鐘頻率方面手冊(cè)標(biāo)稱最高 40MHz但實(shí)際能跑多快取決于 PCB 走線質(zhì)量、片選信號(hào)完整性、以及從機(jī)到主機(jī)的 MISO 建立時(shí)間。我在四層板上用 20MHz 跑得很穩(wěn)超過 30MHz 后如果走線長(zhǎng)于 5cm 且沒有做阻抗控制偶爾會(huì)出現(xiàn)讀回?cái)?shù)據(jù)錯(cuò)位。建議初次調(diào)試從 1MHz 起步確認(rèn)通信正常后再逐步往上加每次翻倍用連續(xù)讀寫測(cè)試驗(yàn)證穩(wěn)定性。3.2 命令集與操作碼MR25H40CDF 的命令集比 Flash 簡(jiǎn)單得多因?yàn)樗鼪]有擦除命令。核心命令如下表。命令名稱操作碼功能說明WREN0x06寫使能寫寄存器或?qū)懘鎯?chǔ)陣列前必須發(fā)WRDI0x04寫禁止寫完可發(fā)也可不發(fā)RDSR0x05讀狀態(tài)寄存器WRSR0x01寫狀態(tài)寄存器READ0x03讀存儲(chǔ)陣列任意地址任意長(zhǎng)度WRITE0x02寫存儲(chǔ)陣列任意地址任意長(zhǎng)度注意這里沒有 0x0B 快速讀命令也沒有頁編程概念。READ 和 WRITE 都是給一個(gè) 24 位地址因?yàn)?512KB 需要 19 位地址用 3 字節(jié)對(duì)齊然后連續(xù)傳輸數(shù)據(jù)地址自動(dòng)遞增到頂回卷。這個(gè)無頁邊界特性非常省心你可以一次寫 1000 字節(jié)跨越任意地址不用擔(dān)心像 Flash 那樣跨頁要拆分。3.3 狀態(tài)寄存器的位定義狀態(tài)寄存器只有幾位有意義讀出來是 1 字節(jié)。bit0WIPWrite In Progress。MRAM 寫入極快這一位幾乎永遠(yuǎn)是 0但嚴(yán)謹(jǐn)起見寫完還是讀一下確認(rèn)。bit1WELWrite Enable Latch。發(fā)過 WREN 后這一位為 1寫完自動(dòng)清 0。bit2 到 bit7BP0、BP1 等塊保護(hù)位以及一些保留位。塊保護(hù)位可以鎖定部分地址區(qū)域禁止寫入工業(yè)場(chǎng)景里可以用它把標(biāo)定參數(shù)區(qū)鎖死防止程序跑飛誤寫。這個(gè)功能在 Flash 上也有但 MRAM 因?yàn)闆]有擦除誤寫就是直接覆蓋所以保護(hù)位的意義更大。3.4 寫保護(hù)與硬件 WP 引腳MR25H40CDF 有一個(gè) WP 引腳低電平有效。當(dāng) WP 拉低時(shí)狀態(tài)寄存器的寫保護(hù)位被鎖定無法修改。注意它保護(hù)的是狀態(tài)寄存器不是存儲(chǔ)陣列。存儲(chǔ)陣列的寫保護(hù)靠狀態(tài)寄存器里的 BP 位。所以完整的寫保護(hù)策略是上電后先通過 WRSR 設(shè)置 BP 位保護(hù)關(guān)鍵區(qū)域然后把 WP 引腳拉低鎖死狀態(tài)寄存器這樣即使程序誤發(fā) WRSR 也改不了保護(hù)配置。我在一個(gè)電力終端項(xiàng)目里就是這么做的把 0x00000 到 0x00FFF 這 4KB 設(shè)為寫保護(hù)區(qū)存設(shè)備序列號(hào)和出廠標(biāo)定值WP 引腳直接接地。運(yùn)行兩年多這塊區(qū)域沒出過一次意外改寫。4. STM32F745VG 硬件連接與 CubeMX 配置實(shí)操4.1 硬件連線與去耦STM32F745VG 有多個(gè) SPI 外設(shè)我選 SPI2因?yàn)樗囊_在 144 腳封裝上位置好布線。連接關(guān)系如下。STM32 SPI2_SCK (PB13) 接 MR25H40CDF SCKSTM32 SPI2_MISO (PB14) 接 MR25H40CDF MISOSTM32 SPI2_MOSI (PB15) 接 MR25H40CDF MOSISTM32 任意 GPIO (PB12) 接 MR25H40CDF CS用軟件片選STM32 3.3V 接 VDDGND 接 VSSWP 引腳根據(jù)是否需要鎖死狀態(tài)寄存器決定接 GND 還是接 GPIO去耦電容必須加MRAM 在寫入瞬間電流會(huì)有小幅跳變我在 VDD 和 GND 之間放了 100nF 加 1uF 組合緊貼芯片引腳。CS 信號(hào)線上如果走線超過 3cm建議串一個(gè) 22 歐姆電阻做阻抗匹配減少過沖。4.2 為什么用軟件片選而不是硬件 NSSSTM32 的 SPI 外設(shè)有硬件 NSS 模式但那個(gè)模式在多從機(jī)或者需要精確控制片選時(shí)序時(shí)很別扭。MR25H40CDF 要求 CS 拉低后到第一個(gè)時(shí)鐘沿之間有最小建立時(shí)間CS 拉高后到下一個(gè)命令之間有最小保持時(shí)間。用軟件 GPIO 控制 CS你能精確插入延時(shí)也能在一條命令里保持 CS 全程有效。我實(shí)測(cè)軟件片選在 20MHz 下完全沒問題代碼里就是拉低 GPIO、調(diào) HAL_SPI_TransmitReceive、拉高 GPIO 三步。4.3 CubeMX 參數(shù)配置在 CubeMX 里配置 SPI2 的關(guān)鍵參數(shù)如下。ModeFull-Duplex MasterHardware NSS SignalDisableData Size8 BitsClock PolarityLowClock Phase1 EdgeNSS Pulse ModeDisableTI ModeDisableBaud Rate Prescaler根據(jù)主頻算比如 216MHz 主頻下選 16 分頻得 13.5MHzFirst BitMSB First這里 CPOLLow、CPHA1Edge 就是 SPI 模式 0。波特率預(yù)分頻要算一下STM32F745VG 的 SPI2 掛在 APB1 上最高 54MHz假設(shè) APB1 時(shí)鐘 54MHz選 4 分頻得 13.5MHz選 2 分頻得 27MHz。初次調(diào)試建議 4 分頻或更低。另外把 CS 對(duì)應(yīng)的 GPIO 配成推挽輸出、初始高電平、最高速度。如果 WP 用 GPIO 控制也配成推挽輸出。5. 驅(qū)動(dòng)代碼實(shí)現(xiàn)從底層讀寫到數(shù)據(jù)層封裝5.1 底層字節(jié)讀寫函數(shù)先定義片選操作和基礎(chǔ)傳輸函數(shù)。下面代碼基于 STM32 HAL 庫SPI 句柄假設(shè)為 hspi2。#include main.h extern SPI_HandleTypeDef hspi2; #define MRAM_CS_LOW() HAL_GPIO_WritePin(GPIOB, GPIO_PIN_12, GPIO_PIN_RESET) #define MRAM_CS_HIGH() HAL_GPIO_WritePin(GPIOB, GPIO_PIN_12, GPIO_PIN_SET) #define MRAM_CMD_WREN 0x06 #define MRAM_CMD_WRDI 0x04 #define MRAM_CMD_RDSR 0x05 #define MRAM_CMD_WRSR 0x01 #define MRAM_CMD_READ 0x03 #define MRAM_CMD_WRITE 0x02 static void MRAM_WriteEnable(void) { uint8_t cmd MRAM_CMD_WREN; MRAM_CS_LOW(); HAL_SPI_Transmit(hspi2, cmd, 1, 100); MRAM_CS_HIGH(); } static uint8_t MRAM_ReadStatus(void) { uint8_t cmd MRAM_CMD_RDSR; uint8_t status 0; MRAM_CS_LOW(); HAL_SPI_Transmit(hspi2, cmd, 1, 100); HAL_SPI_Receive(hspi2, status, 1, 100); MRAM_CS_HIGH(); return status; }這里有個(gè)細(xì)節(jié)HAL_SPI_Transmit 和 HAL_SPI_Receive 分開調(diào)用時(shí)CS 保持低電平中間不會(huì)插入額外時(shí)鐘所以命令字節(jié)和數(shù)據(jù)字節(jié)是連續(xù)的符合手冊(cè)時(shí)序。如果你用 HAL_SPI_TransmitReceive 一次傳完也可以但要注意發(fā)送緩沖區(qū)里命令后面的字節(jié)是占位數(shù)據(jù)。5.2 任意長(zhǎng)度讀寫函數(shù)MR25H40CDF 的地址是 24 位但實(shí)際只用到低 19 位高 5 位補(bǔ) 0。寫函數(shù)如下。void MRAM_Write(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint32_t len) { uint8_t cmd[4]; cmd[0] MRAM_CMD_WRITE; cmd[1] (addr 16) 0xFF; cmd[2] (addr 8) 0xFF; cmd[3] addr 0xFF; MRAM_WriteEnable(); MRAM_CS_LOW(); HAL_SPI_Transmit(hspi2, cmd, 4, 100); HAL_SPI_Transmit(hspi2, buf, len, 1000); MRAM_CS_HIGH(); } void MRAM_Read(uint32_t addr, uint8_t *buf, uint32_t len) { uint8_t cmd[4]; cmd[0] MRAM_CMD_READ; cmd[1] (addr 16) 0xFF; cmd[2] (addr 8) 0xFF; cmd[3] addr 0xFF; MRAM_CS_LOW(); HAL_SPI_Transmit(hspi2, cmd, 4, 100); HAL_SPI_Receive(hspi2, buf, len, 1000); MRAM_CS_HIGH(); }注意寫函數(shù)里 WREN 和 WRITE 之間 CS 必須拉高再拉低因?yàn)?WREN 是一個(gè)獨(dú)立命令周期。有些 Flash 允許 WREN 后不拉高 CS 直接跟 WRITE但 MRAM 手冊(cè)明確要求每個(gè)命令獨(dú)立我實(shí)測(cè)不拉高也能寫進(jìn)去但為了合規(guī)和穩(wěn)定還是按手冊(cè)來。5.3 帶校驗(yàn)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)封裝工業(yè)場(chǎng)景里光寫進(jìn)去不夠還得能驗(yàn)證。我通常封裝一個(gè)帶 CRC 的記錄結(jié)構(gòu)。typedef struct { uint32_t seq; uint32_t timestamp; float value[4]; uint16_t crc; } DataRecord_t; #define RECORD_SIZE sizeof(DataRecord_t) #define RECORD_BASE 0x1000 #define RECORD_MAX 100 void SaveRecord(uint32_t index, DataRecord_t *rec) { rec-crc CRC16((uint8_t*)rec, RECORD_SIZE - 2); MRAM_Write(RECORD_BASE index * RECORD_SIZE, (uint8_t*)rec, RECORD_SIZE); } uint8_t LoadRecord(uint32_t index, DataRecord_t *rec) { MRAM_Read(RECORD_BASE index * RECORD_SIZE, (uint8_t*)rec, RECORD_SIZE); uint16_t crc CRC16((uint8_t*)rec, RECORD_SIZE - 2); return (crc rec-crc) ? 1 : 0; }CRC16 用常見的 CCITT 多項(xiàng)式 0x1021實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單對(duì)幾十字節(jié)的記錄校驗(yàn)足夠。讀回來先算 CRC 再判斷有效性這樣即使某次寫入被干擾也能識(shí)別出來而不是把臟數(shù)據(jù)當(dāng)有效值用。5.4 掉電保護(hù)寫入策略MRAM 寫入快但也不是零風(fēng)險(xiǎn)。如果寫入過程中掉電可能只寫了一半。我的做法是雙緩沖加序號(hào)。開兩個(gè)記錄區(qū) A 和 B每次寫交替使用寫完更新一個(gè)指向最新有效區(qū)的標(biāo)志字節(jié)。上電時(shí)讀標(biāo)志字節(jié)選序號(hào)大的那個(gè)區(qū)。標(biāo)志字節(jié)本身用單字節(jié)寫MRAM 單字節(jié)寫入原子性很好基本不會(huì)寫一半。具體實(shí)現(xiàn)是記錄區(qū) A 在 0x1000記錄區(qū) B 在 0x2000標(biāo)志字節(jié)在 0x0000。寫 A 時(shí)先寫數(shù)據(jù)再寫標(biāo)志為 0xAA寫 B 時(shí)先寫數(shù)據(jù)再寫標(biāo)志為 0x55。上電讀標(biāo)志0xAA 用 A0x55 用 B其他值說明首次上電或標(biāo)志損壞默認(rèn)用 A。這個(gè)策略在多次人為斷電測(cè)試?yán)餂]丟過數(shù)據(jù)。6. 實(shí)測(cè)性能與常見問題排查6.1 實(shí)測(cè)讀寫速度在 13.5MHz SPI 時(shí)鐘下我用邏輯分析儀和代碼計(jì)時(shí)兩種方式測(cè)過。連續(xù)寫 512 字節(jié)耗時(shí)約 320 微秒連續(xù)讀 512 字節(jié)約 310 微秒單字節(jié)寫約 2 微秒含 CS 和命令開銷。對(duì)比 W25Q64 寫 512 字節(jié)需要先擦 4KB 塊約 50ms再頁編程約 2msMRAM 快了將近兩個(gè)數(shù)量級(jí)。這個(gè)差距在高頻采集場(chǎng)景里是決定性的。6.2 常見問題速查表現(xiàn)象可能原因排查方法讀回全 0xFFCS 沒拉低、MISO 接反、器件沒供電示波器看 CS 和 SCK萬用表量 VDD讀回全 0x00MISO 被拉低、SPI 模式錯(cuò)確認(rèn) CPOL/CPHA檢查 MISO 上拉寫入后讀回舊值沒發(fā) WREN、WP 引腳拉低鎖了狀態(tài)寄存器讀狀態(tài)寄存器看 WEL 位高速下偶發(fā)錯(cuò)位走線過長(zhǎng)、無阻抗匹配、時(shí)鐘太快降速到 1MHz 驗(yàn)證逐步提速部分地址寫不進(jìn)BP 保護(hù)位設(shè)置了讀狀態(tài)寄存器確認(rèn) BP 位必要時(shí)先解除上電首次讀異常器件上電初始化時(shí)間上電后延時(shí) 1ms 再操作6.3 幾個(gè)我踩過的坑第一個(gè)坑是 WP 引腳。我一開始把 WP 直接接地想著反正不用寫狀態(tài)寄存器。結(jié)果后來想改塊保護(hù)配置發(fā)現(xiàn) WRSR 怎么都不生效查了半天手冊(cè)才想起來 WP 低電平鎖死了狀態(tài)寄存器。后來把 WP 改接 GPIO需要改配置時(shí)拉高改完再拉低。第二個(gè)坑是 SPI 時(shí)鐘相位。我一開始配成 CPHA2Edge讀出來數(shù)據(jù)整體偏移一位。原因是 MR25H40CDF 在上升沿采樣我配成了下降沿。改成 1Edge 后正常。這個(gè)錯(cuò)誤在邏輯分析儀上很明顯MISO 數(shù)據(jù)跳變沿和 SCK 采樣沿對(duì)不上。第三個(gè)坑是連續(xù)寫跨 512KB 邊界。手冊(cè)說地址到頂回卷我測(cè)試時(shí)從 0x7FFF0 寫 32 字節(jié)結(jié)果前 16 字節(jié)寫在末尾后 16 字節(jié)回到 0x00000。這個(gè)行為本身沒問題但如果你的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)跨了邊界讀回來就會(huì)錯(cuò)位。我的處理是在數(shù)據(jù)層保證每個(gè)記錄不跨 512KB 邊界記錄區(qū)起始地址對(duì)齊到記錄大小的整數(shù)倍。第四個(gè)坑是電源紋波。有一批板子在 MRAM 寫入瞬間3.3V 上出現(xiàn)約 100mV 的尖峰導(dǎo)致偶發(fā)寫入失敗。后來在 MRAM 電源腳旁邊加了 10uF 鉭電容才壓下去。所以去耦不是隨便放個(gè) 100nF 就行寫入電流跳變大的器件要額外加儲(chǔ)能電容。7. 工業(yè)場(chǎng)景下的擴(kuò)展思路MR25H40CDF 加 STM32F745VG 這套組合除了存參數(shù)和記錄還能玩出一些別的花樣。比如做環(huán)形緩沖區(qū)存高速采集數(shù)據(jù)MRAM 寫入快配合 DMA 可以做到幾乎不占 CPU。再比如做配置的雙備份加版本號(hào)每次改配置寫新版本舊版本保留出問題能回滾。還有做事件日志每條日志帶時(shí)間戳和 CRC掉電不丟事后能追溯。STM32F745VG 本身有 1MB Flash 和 320KB RAM跑 RTOS 綽綽有余。你可以把 MRAM 驅(qū)動(dòng)封裝成一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)服務(wù)任務(wù)其他任務(wù)通過消息隊(duì)列請(qǐng)求讀寫這樣存儲(chǔ)邏輯和業(yè)務(wù)邏輯解耦換存儲(chǔ)器件時(shí)只改驅(qū)動(dòng)層。我在一個(gè)項(xiàng)目里就是這么做的后來把 MRAM 換成 FRAM只改了底層三個(gè)函數(shù)上層業(yè)務(wù)代碼一行沒動(dòng)。如果你還在用 W25Q64 做參數(shù)存儲(chǔ)并且遇到過寫穿或者掉電丟數(shù)據(jù)的問題不妨評(píng)估一下 MR25H40CDF。它的單價(jià)確實(shí)高一些但算上省掉的擦除管理代碼、掉電保護(hù)電路、以及現(xiàn)場(chǎng)故障返修成本綜合賬往往是劃算的。我在實(shí)際項(xiàng)目里換過兩次每次都是因?yàn)?Flash 壽命或者掉電問題被逼的換完之后這類問題就再?zèng)]出現(xiàn)過。